Merck
CN

303518

Sigma-Aldrich

氧化钽(V)

99% trace metals basis

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别名:
五氧化钽
线性分子式:
Ta2O5
CAS号:
分子量:
441.89
EC 号:
MDL编号:
PubChem化学物质编号:
NACRES:
NA.23

质量水平

检测方案

99% trace metals basis

形式

powder

反应适用性

reagent type: catalyst
core: tantalum

密度

8.2 g/mL at 25 °C (lit.)

应用

battery manufacturing

SMILES字符串

O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O

InChI

1S/5O.2Ta

InChI key

PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N

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一般描述

五氧化二钽本质上是一种电介质,因此可用在电子工业中制造电容器。

应用

氧化钽与栅极介电结构中的硅混合。它可用于合成六方填充的介孔氧化钽分子筛。研究表明,氧化钽薄膜的离子束溅射沉积可能应用于光学涂层。它可用于制造透镜和电子电路的光学玻璃。

储存分类代码

11 - Combustible Solids

WGK

nwg

闪点(°F)

Not applicable

闪点(°C)

Not applicable

个人防护装备

Eyeshields, Gloves, type N95 (US)


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Synthesis and characterization of hexagonally packed mesoporous tantalum oxide molecular sieves.
Antonelli DM and Ying JY
Chemistry of Materials, 8(4), 874-881 (1996)
Intermixing at the tantalum oxide/silicon interface in gate dielectric structures.
Alers GB, et al.
Applied Physics Letters, 73(11), 1517-1519 (1998)
Effects of oxygen content on the optical properties of tantalum oxide films deposited by ion-beam sputtering.
H Demiryont et al.
Applied optics, 24(4), 490-490 (1985-02-15)

商品

As the electronic industry continues to move towards smaller and smaller devices, researchers must continually strive for technologies to deposit electronic materials with precision at ever-smaller scales. This trend has lead to a variety of techniques used in the microelectronics industry to layer materials with precision thicknesses, sometimes down to even the atomic level.

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