基材和预制电子器件

我们的基材和预制电子部件从设计上帮助您大大减少处理时间，以表征您新开发的半导体材料，构建有效的、基于FET的传感器，检测化学/生物分析物。只需添加您选择的半导体层即可。

• 凭借利用我们的预图案化、背栅、叉指电极系列，你可以快速制造场效应晶体管（FET）。这些电极使用标准剥离技术预制在导电硅晶片上，具有可靠的欧姆源/漏极触点、超高的通道宽长比（500至4000）以及多种介电层厚度和器件结构选择。
• 我们的背栅式 横向场效应晶体管(LOFET)电路仅需要对环形振荡器进行频率测量，就可以简化活性材料的表征，无需对单个晶体管进行耗时的测量和分析。